Intel разрабатывает технологию памяти ZAM: конкурент для HBM4 с высокой пропускной способностью

В ближайшие годы архитектура компьютерной памяти претерпит значительные изменения. Одной из перспективных разработок стала технология Zero-Angle Memory (ZAM), которая предполагает вертикальную компоновку чипов вместо традиционного горизонтального размещения. Этот подход позволяет повысить скорость передачи данных при одновременном снижении энергопотребления. Компания Intel делает ставку на данную технологию как на потенциальную альтернативу современным модулям памяти с высокой пропускной способностью (HBM).

Особенности конструкции девятислойной памяти ZAM

Согласно материалам предстоящей конференции по сверхбольшим интегральным схемам (VLSI), каждый модуль ZAM состоит из девяти функциональных слоев, расположенных вертикально. В состав архитектуры входят восемь слоев памяти DRAM и один слой управления.

• Каждый из восьми слоев DRAM обладает емкостью 1,125 ГБ.
• Суммарная емкость одного модуля ZAM составляет 9 ГБ.
• Для электрического соединения всех слоев используются три сквозных кремниевых перехода (TSV).
• Слои разделены кремниевой подложкой толщиной всего 3 микрометра.

Для создания этих соединений Intel применила метод диффузионной сварки, обеспечивающий высокую точность и надежность конструкции. Каждый переход фиксируется на двух или трех металлических кольцах на каждом слое, что гарантирует стабильную передачу сигнала.

Производительность и конкуренция с HBM4

Коммерциализацией этой технологии занимается компания Saimemory Corporation, дочернее предприятие SoftBank. Официальные скоростные характеристики еще не опубликованы, однако, по предварительным данным, ZAM способна обеспечить увеличение быстродействия в два-три раза по сравнению со стандартами HBM3.

Учитывая, что текущие стандарты HBM3 обеспечивают пропускную способность около 819 ГБ/с, внедрение ZAM может позволить достичь показателей до 2,5 ТБ/с для нужд систем искусственного интеллекта. Ожидается, что подобные характеристики приблизят технологию к уровню памяти HBM4, которая планируется к использованию в платформе Nvidia Vera Rubin, что делает разработку Intel прямым конкурентом в сегменте высокопроизводительных вычислений.

Перспективы и производственные сложности

На текущий момент полнофункциональный прототип ZAM не был представлен независимым экспертам или сторонним лабораториям. Перед разработчиками стоит серьезная промышленная задача: обеспечить массовое производство восьмислойных сборок без дефектов, возникающих в процессе соединения компонентов.

Технология HBM4 уже опирается на развитую производственную базу и глобальные цепочки поставок. Эксперты отмечают, что даже самый перспективный стандарт памяти может остаться невостребованным без широкой поддержки индустрии и отлаженной экосистемы. Подробная презентация на конференции VLSI должна прояснить, сможет ли концепция ZAM перейти от теоретических схем к физическому воплощению.

Твитнуть